11月29日，由上海大学理学院物理系和上海市高温超导重点实验室主办的理学院“当代科学前沿讲坛”第258讲暨Physics Department Colloquium学术报告于校本部BJ204室举行。主讲人陈仙辉是中国科学院院士、中科大教授、中科院强耦合量子材料物理重点实验室主任。会议伊始，上海大学物理系主任蔡传兵教授介绍了陈仙辉院士的多项优秀科研成果，对陈仙辉院士的到来表示热烈的欢迎。

在物理系敖平教授的主持下，陈院士从电场通过控制载流子浓度而调控物理特性说起，认为这种通过静电荷掺入的调控极大地促进了半导体的工业和研究发展。然而，传统金属-绝缘体-半导体场效应管仅能维持很有限的载流子浓度，不能够满足进一步需求，特别是在探索高温超导体方面。所以，各国研究者都在寻找新的栅极介电层的场效应管技术。

随后，陈院士介绍了自己的团队在FeSe薄片中通过双电荷层场效应管技术调控载流子得到超导温度大约为40K的高温超导。为了克服金属-绝缘体-半导体场效应管和双电荷层场效应的固有缺陷，团队发展了一种全新的场效应晶体管技术：固态离子导体基效应晶体管（SIC-FET）。之后团队基于这种固态离子导体场效应管技术，Li离子在电场的驱动下注入样品，最佳超导为43K的超导相在电场的调控下转变为铁磁绝缘相，产生许多奇特的(Li,Fe)OHFeSe的亚稳结构，导致发生一系列相变，这些相变是可逆的。最后，陈院士提出SIC-FET技术不但为研究铁基超导体中超导与铁磁绝缘体的关系提供了独特的平台，并且实现了对亚稳结构的可控调控，为获得亚稳态相和通过电场控制结构相变铺平了道路。

在陈仙辉院士的报告中，与会人员都受益匪浅。在互动环节中，陈仙辉院士一一详细解答了现场同学提出的问题，学术交流报告会取得良好效果。陈院士的到访为加强学术交流，营造学术氛围，提高科研实力和水平，造就科学人才起到了良好的推动作用。会议结束后，多名科研人员与陈仙辉院士继续进行探讨交流。