近期，由长江存储科技有限责任公司CEO、上海大学1981届校友杨士宁执掌的128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）宣布研发成功，并且该闪存芯片已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

这是国产闪存首次进入第一梯队，而且同时在容量、密度及性能上领先，意义重大。这也是中国首次在闪存规格上超过三星等内存大厂，标志着我国闪存技术的又一次飞跃。

从 32 层技术切入，一直到 64 层芯片成功研发、量产，提出独步全球的 Xtacking 技术，再到如今128层闪存芯片达到世界先进水平，这层层飞跃中执掌研发、组织团队的关键人物，即是长江存储CEO、1981届校友杨士宁。

长江存储董事长、紫光集团董事长兼首席执行官赵伟国表示，杨士宁绝对是中国半导体研发界的天才，组织了一支半导体研发团队，一路以来能吃苦、能打仗。

与其他各国的行业差距、从零开始的技术难关、新冠疫情的严峻挑战……杨士宁和团队不懈努力，攻坚克难，最终实现了了在2020年研发出128层闪存的目标，向国际半导体领域贡献了中国智慧。

一、科研攻关，迎难而上追卓越

存储芯片中最为重要的要属DRAM（内存）和NAND flash（闪存）。

2018年，中国进口了3120亿美元的芯片，其中存储芯片占集成电路进口金额的39%，达到1230.6亿美元。这1230.6亿美元的存储芯片中，高达97%的是DRAM和FLASH。

此前，闪存技术已经发展了36年，但其核心技术一直为美日韩三国的三星、东芝、美光、海力士、英特尔五家企业所掌握。国际闪存市场的绝大部分份额都为这几家企业所占据。中国对内存闪存芯片的需求同样也只能依赖进口渠道满足。

三星、东芝等闪存大厂按照产品规划，在2020年将量产128层堆栈闪存，紫光却跳过了96层的研发，直接攻关128层闪存。

2020年4月13日，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证，领先了三星等企业。

长江存储X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量。

从容量上来说，长江存储的X2-6070 QLC闪存与东芝/西数同级，比其他家的要高出33%。

从性能上来说，IO速度上X2-6070是1600Mbps，而三星的128层闪存速度是1200Mbps，西数、东芝的也是1200Mbps，其他家的IO速度没有确切数据，估计也在1200Mbps左右。所以在IO性能上，长江存储的X2-6070闪存也是第一，这点比其他厂商是要领先的。

从技术指标上来说，长江存储的X2-6070闪存是国产闪存首次进入第一梯队，而且同时在容量、密度及性能上领先，意义重大。

这也是中国首次在闪存规格上超过三星等内存大厂，成功跻身国际半导体领域的一流行列。

二、企业抗疫，齐心协力保研产

长江存储科技有限责任公司正坐落于此次新冠疫情的震中——武汉。

1月23日封城，4月8日正式解禁，杨士宁和他的团队遭遇了长达76 日的封城考验，世界半导体行业的目光聚焦于此。然而，仅在解禁5天后，长江存储就宣布了128层闪存芯片的成功研发，让世界再一次惊叹于“中国智慧”和“中国速度”。

在封城期间，长江存储如何维持“零感染、不停产” 的目标？如何达到全面复工的高效率？

4月8日，杨士宁面对采访时表示，疫情当前，公司坚决把员工的生命安全和社区环境安全放在第一位； 相信科学，明确规则，彻底执行。而在总体方针上则做到“战略上藐视敌人，战术上重视敌人”。

他进一步指出，在疫情萌芽之际，长江存储就确定了“零感染、不停产”的总体目标，成立了“紧急状态前线指挥部”，制定了详尽明确的“在岗员工防疫行为标准” (SOP)。其中包括返岗所需的隔离观察，核酸监测，日常体温检测，口罩佩戴，用餐规范，办公规范，洗手规范等，并严格落实。

杨士宁介绍，疫情期间，长江存储在行政后勤保障、人文关怀、员工活动和培训管理等方面也投入了巨大的精力与支持，以保障员工在疫情期间的膳食供应、解决员工可能碰到的心理问题和生活问题。培训方面，公司针对中层员工推出一系列“云培训”课程，帮助员工在疫情期间开展知识和技能学习，实现自我提升。“整个培训项目取得了良好的预期效果”。

最后，杨士宁强调，全体员工在疫情期间的奉献精神是公司实现不停产的重要支柱。“我们以有限人力，维持一个适当的营运与产出，是最合理的，也是对社会最负责任的做法”。在这种前所未有的考验下，春节期间原定值守员工，以及因为封城被滞留在武汉的员工都做出了莫大的奉献和付出，这才有了公司过去七十天的正常运行。

同时，他也对疫情期间全产业链以及社会各方力量对公司研发、生产工作的大力支持表示感谢，“疫情期间，长江存储陆续收到来自集团、大基金、合作伙伴及产业链上下游多方的帮助与鼓励，这些都激励着驻守在武汉的长存人摈弃一切杂念，全力投入防疫、生产和研发当中”。

杨士宁和团队无疑没有辜负社会各界的支持和期待，128层内存芯片的成功问世，极大地缩短了中国与美日韩三国在半导体领域的差距，为构建属于我们自己的半导体生态跨出了一大步。

挑战依然存在：疫情全球蔓延，海外市场的需求受阻，而长存在生产进度及产能上与美日韩三国公司仍存在一定差距，但我们有理由相信，凭借着这种不怕艰难、锐意进取的精神，杨士宁以及其他奋战在研发、生产一线的人们一定能再次战胜困境，迎来中国存储芯片的春天。

杨士宁校友简介

杨士宁，1981年毕业于上海大学（原上海科学技术大学）无线电系，美国伦斯勒理工学院物理学专业硕士、材料工程学专业博士。现任长江存储科技有限责任公司首席执行官。曾担任武汉新芯集成电路制造有限公司首席执行官，中芯国际集成电路制造有限公司首席运营官，新加坡特许半导体首席技术官，英特尔公司逻辑技术资深总监。2018年4月，习总书记考察武汉新芯集成电路制造有限公司时，由杨士宁校友陪同讲解。2018年10月19日，杨士宁校友携手1998届校友施文广同返母校，带来关于储存芯片产业的精彩报告。